什么是 IGBTIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双极型三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式...

1、判断极性首先将万用表拨在R1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调...

近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球.重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体、扬...

SiC功率器件的电学性能测试主要包括静态、动态、可靠性、极限能力测试等，其中：（1）静态测试：通过测试能够直观反映 SiC 器件的电学基本性能，可简单评估器件的性能优劣。各种静态参数为使用者可靠选择器...

一、元器件筛选的必要性安排测试筛选先后次序的两种方案：方案1：将不产生连环引发效果的失效模式筛选放在前面，将可以与其它失效模式产生连环引发效果的失效模式筛选放在后面。方案2：将可以与其它失效模式产生连环引发效果的失效模式筛选放在前面，将不产生连环引发效果的失效模式筛选放在后面。如果选择方案1，会发现将可以与其它失效模式...

MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管因导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，价格便宜等优点在电子行业深受人们的喜爱与追捧。但是一些厂商的技术...