执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T 29332-2012；

试验对象：Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件；

试验能力：1500V/300A、4500V/5000A；

试验参数：反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间Trr、反向恢复电流变化率diF/dt、反向恢复损耗Erec；