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雪崩耐量测试

执行标准:MIL-STD-750,IEC60747,客户自定义;试验对象:MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件;试验能力:检测电压…

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执行标准:MIL-STD-750,IEC60747,客户自定义;

试验对象:MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件;

试验能力:检测电压:4500V,检测电流:200A

试验参数:雪崩能量EAS/EAR

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