执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T 29332-2012；

试验对象：Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件；

试验能力：1500V/300A、4500V/5000A；

试验参数：开通/关断时间ton/toff、上升/下降时间tr/tf、开通/关断延迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖峰Ic-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率dv/dt、电流变化率di/dt；