执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012、GJB128B-2021

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；

检测能力：2000V/200A、7000V/5000A；

试验参数：

漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

关断参数：VGSOFF

触发参数：IGT、VGT

保持参数：IH、IH+、IH-

锁定参数：IL、IL+、IL-

混合参数：RDSON、GFS