执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T 29332-2012;
试验对象:Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;
试验能力:1500V/300A、4500V/5000A;
试验参数:栅极电荷Qg、漏极电荷Qgs、源极电荷Qgd;
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执行标准:MIL-STD-750,IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T 29332-2012;
试验对象:Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件;
试验能力:1500V/300A、4500V/5000A;
试验参数:栅极电荷Qg、漏极电荷Qgs、源极电荷Qgd;
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