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详情内容 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T 29332-2012；
试验对象：Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件；
试验能力：频率0.1MHz～1MHz、电压1500V、电容范围：10pF-100nF；
试验参数：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres、栅极等效电阻Rg
电话：17792574070
邮箱：xachpc@163.com
地址：西安市高陵区渭北融豪工业城一期V5-5
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执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、GB/T 29332-2012；
试验对象：Si&SiC·二极管、MOSFET、IGBT等分立器件；
试验能力：频率0.1MHz～1MHz、电压1500V、电容范围：10pF-100nF；
试验参数：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres、栅极等效电阻Rg
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