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详情内容 执行标准：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ；
试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；
试验能力：温度220℃；
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执行标准：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ；试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及…
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试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；
试验能力：温度220℃；
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