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功率老化-高温栅偏HTGB试验

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100、AEC-Q101;试验对象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块…

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执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100、AEC-Q101;

试验对象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;

试验能力:温度150℃;电压100V;

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