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提高IGBT有哪些改进方法,你了解吗?

所属分类:公司新闻    发布时间: 2021-05-28    作者:admin
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IGBT在现在和未来都有很多需要改进的地方,有哪些技术方法呢?小编和大家一起研究一下。

IGBT需要改进的地方有:

1.减少通态压降。增加电流密度并降低正功率损耗的目的。

2,减少切换时间,尤其是关闭时间。为了改善频率的使用,降低开关损耗的目的。

3.构成IGBT的大量“原胞”在工作中并行,需要每个主电池允许操作温度允许。当温度变化时,保持压降,并且实现了平均流程。否则,由于个体变化导致的过流损坏,IGBT器件可能会损坏。

4.提高西安IGBT模块检测断态耐压以满足应用需求。

西安IGBT模块检测

 IGBT技术改进措施主要有以下几个方面:

1.为了提高运行频率,减少关闭时间,初代,第二代早期产品已经使用“照射”的方式,但存在增加压降的风险(将增加功耗的风险)。

2初代和第二代原因导致“负温度系数”由于内部晶体结构本身,导致每个IGBT基因组的不一致,这不利于平行操作,因此IGBT电流不大。这个问题在第四个产品中使用“透明收集器技术”,基本上解决了正温度系数的效果。

3.第二代产品使用“电场停止技术”来增加“缓冲层”,使得可以通过较薄的晶片实现相同的压力(击穿电压)。由于薄晶片薄,饱和压降越小,电源耗电越低。该技术经常对IGBT进行显着影响,具有高耐电压。较低的耐用性,如几百伏的IGBT产品,晶圆薄,更薄例如,如果100至150微米,则处理西安元器件筛选过程非常容易损坏晶片。

4.第三代产品是将前两代的平面绝缘栅极改变到沟槽栅极结构,即,在晶片栅极位置的晶片的深度中,晶片形成为绝缘栅极。栅极区域增加,但占用晶片位置减小,并且栅极密度增加。在运行过程中,电流传导容量增强,从而降低了导通压降。

5.第四代非穿通型IGBT(NPT)产品不再采用“外延”技术,代之以“硼离子注入”方法生成集电极,这就是(五)2中提到的“透明集电区技术”。

6.在IGBT经历了上述四种技术改进后,第五和第六代产品重新结合各种技术措施。第五代IGBT是第四产物“透明集电极区技术”和“电场中转技术”的组合。第六代产品在第五代的基础上改善了沟槽栅极结构,并出现在新外观中。

以上就是提高IGBT的改进方法,希望你能有所了解。