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SiC功率器件的电学性能测试

所属分类:公司新闻    发布时间: 2022-03-29    作者:admin
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SiC功率器件的电学性能测试主要包括静态、动态、可靠性、极限能力测试等,其中:

(1)静态测试:通过测试能够直观反映 SiC 器件的电学基本性能,可简单评估器件的性能优劣。

各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据、同时在功率器件检测维修中发挥了至关重要的作用。小编推荐一款SiC静态参数测试系统ENJ2005-C,该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的静态参数,系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。

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(2)动态测试:主要测试 SiC 器件在开通关断过程中的性能。

通常我们希望的功率半导体器件的开关速度尽可能得高、开关过程段、损耗小。但是在实际应用中,影响开关特性的参数有很多,如续流二极管的反向恢复参数,栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容、栅极电荷的存在,所以针对于此类参数的测试,变得尤为重要。开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性。直接影响变换器的性能。因此准确的测量功率半导体器件的开关性能具有极其重要的意义。小编推荐一款SiC动态参数测试系统EN-1230A,该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的动态参数,如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量等。

(3)可靠性测试:考量 SiC 器件是否达到应用标准,是商业化应用的关键。

半导体功率器件厂家在产品定型前都会做一系列的可靠性试验,以确保产品的长期耐久性能。如HTRB-高温高压反偏测试,推荐易恩ENX2020C高温反偏测试系统,该设备采用计算机自动控制系统,后台软件实时监控、自动处理目标数据,具有测试精度高、操作方便、高效等优点。HTGB-高温栅偏测试,推荐易恩ENX2020D高温栅偏测试系统;H3TRB-高温高湿反偏测试,推荐易恩ENX2020E高温高湿反偏测试系统;PC-功率循环测试,推荐易恩ENG1220功率循环测试系统,系统安全可靠,运行稳定。该设备采用研华工业计算机控制,通过 LabVIEW 软件程序编程,加热时间、冷却时间、循环次数均可在计算机界面进行设定,器件的栅极触发电压、Vce 数据、器件温度等均可在计算机显示并以 excel 表格形式输出。设备施加恒定的小电流以监测器件的热敏电压等。

(4)极限能力测试:如浪涌电流测试,雪崩能量测试

浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。推荐ENL3010浪涌电流测试系统,该试验台是一套大电流、高电压的测试设备,电流..可扩展至20kA,带阻断功能的设备电压可扩展至10kV,采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。

雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量。推荐ENX2020A雪崩能量测试系统,能够准确快速的测试出SiC·二极管、SiC·MOSFET等半导体器件的雪崩耐量。

.后一种情况,即脉宽在毫秒级别的浪涌。在浪涌发生的这段时间里,热量有足够的时间传导到散热器上面,只能通过解微分方程大致计算器件的内部情况。这种情况是.复杂的,当温度高于1000K时,所有关于热量的计算都只是推测,必须知道器件内部热传导的细节才能做出精准的预测。