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执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义；试验对象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件；试验能力：检测电压…
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义；
试验对象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件；
试验能力：检测电压：4500V，检测电流：200A
试验参数：雪崩能量EAS/EAR
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